美光公佈截至2025年8/31的2025財年第四財季財報，營收加速成長同時創新高，超越市場預期和公司自身指引，主要由AI基礎設施相關產品HBM（高頻寬記憶體）需求保持強勁，帶動整個資料中心業務創新高。

通常DRAM（動態隨機存取記憶體）獲利週期能持續六到八個季度，美光至今已連續七季獲利，而AI熱潮下獲利週期有望出現延長。美光指引中預計本財季的營收將繼續刷新先前所創的最高紀錄，且增幅大幅超越市場預期，顯示美光已成為AI支出爆發性成長的主要受惠者，其HBM對開發AI模型的晶片和系統相當關鍵。

💰 關鍵財務數據：

• 營收：113.2億美元（年增46%），預期111.5億美元，公司指引為111-113億美元，前一季年增36.6%
• EPS（非GAAP稀釋後）：3.03美元（年增156.8%），預期2.86美元，公司指引2.78-2.92美元，前一季年增208%
• 營業利潤（調整後）：39.55億美元（年增126.6%），預期37.23億美元，前一季年增164.6%
• 毛利率（調整後）：45.7%（年增9.2%），預期44.1%，公司指引為44%-45%，前一季年增39%

📊 業務營收相關細項：

照產品技術分類：

• DRAM（動態隨機存取記憶體）：89.8億美元（年增68.7%），佔總營收79%，前一季70.7億美元，佔總營收76%
• NAND（快閃記憶體）：22.5億美元（年減4.8%），佔總營收20%，前一季21.6億美元，佔總營收23%

照業務分類：

• 雲端記憶體（Cloud Memory）：45.4億美元（年增214%，季增34%），前一季33.9億美元
• 核心資料中心（Core Data Center）：15.8億美元（年減少23%，季增3%），前一季15.3億美元
• 行動與終端裝置（Mobile and Client）：37.6億美元（年增25%，季增16%），前一季32.6億美元
• 車用與嵌入式（Automotive and Embedded）：14.3億美元（年增17%，季增27%），前一季11.3億美元

📈 業績指引（2026第一財季，自然年2025年第四季）：

• 營收：122-128億美元，中位數125億美元，預期中位數119億美元
• EPS（非GAAP稀釋後）：3.6-3.9美元，中位數3.75美元，預期3.05美元
• 毛利率（調整後）：50.5%-52.5%，中位數51.5%

基本財報分析：營收獲利超越先前大幅上調後的指引，HBM帶動雲端記憶體業務營收創新高

先前美光因DRAM定價有所改善而全面上調四季度業績指引，其中營收指引區間下緣上調6.7%，區間上緣上調2.7%，EPS指引區間更大幅上調至少10%，毛利率指引區間也至少上調2%，財報公布前市場預期已相當高。然而本季財報中美光營收較前一季加快成長，年增率從前一季36.6%上升至46%，營收達到113.2億美元，不僅刷新前一季所創的單季最高紀錄，還超越先前整個指引區間，市場預期更只有接近區間下緣，強勁表現更帶動全財年營收年增49%至創紀錄的374億美元。

獲利方面，美光第四季的EPS維持三位數高增速，年增超過一倍至3.03美元，較市場預期還高近6%。EPS和毛利率均超越公司上調後指引的區間上緣。美光本季利潤最高的產品為HBM，主要用於AI資料處理，帶動雲端記憶體業務（CMBU）營收年增214%至45.4億美元單季新高。

業績指引：下一季營收年增超過40%，EPS再度翻倍成長

美光最新業績指引顯示，預計下一季度單季營收將史上首次超過120億美元，再創營收歷史紀錄，美光整個指引區間都高於市場預期。營收指引區間中位數為125億美元，年增43.5%，較市場預期營收高約5%。另外EPS指引中位數3.75美元，代表年增高達109.5%，較市場預期高出約23%。

市場環境方面，美光預計2026年DRAM市場供應將持續維持緊張，而NAND市場將持續改善，中長期來看，預計DRAM和NAND的產業需求複合年成長率將達到15%左右。對此美光上調2025自然年的產業需求成長預期，預計今年全球DRAM Bit需求成長率將超過15%，略高於公司先前的預測；另外預計今年全球NAND Bit需求成長率也將超越先前的預測，預計增速落在10%-15%。

美光資本支出在2025財年共投入138億美元，較去年成長約70%，由於持續增加對1γ DRAM和HBM相關技術的投資，因此美光預計2026財年的資本支出將高於2025財年，另外預估第一季資本支出年增44%至45億美元，高於市場預期39億美元。

HBM客戶持續擴大，明年HBM將全面銷售一空

美光CEO Sanjay Mehrotra透露美光的HBM客戶群已擴大至六家，並預計明年的HBM產品都將全數售罄，Mehrotra指出幾乎所有客戶已就2026自然年大部分HBM3E產品的價格達成協議，公司正在與客戶積極討論HBM4產品的規格和供貨量，預計將於未來幾個月內與客戶達成最後協議。

HBM4是目前HBM3標準的進化版，提供更高的頻寬、更低的功耗以及更大的晶片容量，同時具備2048位元接口，每個記憶體堆疊的傳輸速率超過2.0 TB/s，效能較前代提升超60%，功耗則較美光目前業界領先的HBM3E 12H產品低20%。

美光從6月開始向主要客戶發送其36GB HBM4 12H（12層堆疊）內存樣品，本次財報指出近期已向客戶交付HBM4產品樣品。儘管外界對HBM4頻寬和接腳速度的效能要求不斷提高，但美光的HBM4 12H產品仍依原本計畫進行，能滿足客戶對平台的需求。

其他財報電話會重點

1. 美光在2024財年的資本支出為81億美元，根據目前的資本支出和收入預期，預計2025財年的資本支出將大幅增長，佔收入比重將達到35%左右，並預計新建晶圓廠和HBM資本支出投資的增長將佔增長的絕大部分。未來美光將繼續把資本支出集中在HBM投資上，預計帶動利潤率上升。

2. HBM業務方面，2024財年實現數億美元的收入，2025財年更進一步實現數十億美元的收入。 HBM整體潛在市場將從2023年約40億美元成長到2025年的250多億美元，預計HBM將從2023年的1.5%上升至2025年的6%左右。2025和2026年預計將擁有更多元化的HBM收入結構，透過領先業界的HBM3E解決方案來獲取更多HBM客戶，另外預計高容量D5 和LP5 解決方案的需求將相當強勁。

3. 隨著2025年下半年PC銷售量持續保持穩定成長，預計2026年春季PC OEM的庫存將更加健康。2025上半年PC出貨量仍將保持低個位數成長，但隨著市場堆出下一代AI PC、Windows 10支援的終止以及Windows 12發布，預計下半年PC更換將出現加速，出貨量成長也將在2026財年持續，並在2026下半年出現加速。

4. 先進製程的供應非常緊張，由於2022和2023年資本支出持續減少，以及全產業轉向新技術節點轉型，導致晶圓產能已從高峰大幅下降，因此晶圓產能與2022年的高峰相比有所下降。供應緊張不僅存在於HBM市場，也存在於非HBM市場。

投行分析

摩根大通在最新報告指出，DRAM市場正迎來一個從2024年持續至2027年，前所未見的四年定價上行週期，打破過去數年大起大落的行業規律，背後的關鍵正是HBM。報告預測到2027年HBM在DRAM市場總價值的佔比將高達43%，且將帶動整體利潤上升，即使在2026年HBM3E產品可能因供應增加而降價，但由於下一代HBM4將享有約35%的溢價，混合HBM平均售價（ASP）在2026年仍不太可能下降。市場競爭方面，SK海力士被認為在HBM4的競爭中處於領先地位，有望比競爭對手更早獲得輝達的認證，可能使其佔據超過60%的市場份額，三星電子和美光將搶奪剩餘的HBM4訂單。

除了市場高度關注的HBM外，記憶體需求正向更多元化的應用擴展，加劇供應緊張的情勢。報告指出用於輝達下一代Vera CPU的SOCAMM2記憶體模組，以及用於Rubin CPX GPU的GDDR7，都將成為拉動DRAM需求的新成長關鍵。另外AI推理、AI服務和邊緣AI應用的興起迫使通用伺服器必須升級記憶體配置，來獲得更低的延遲和更優異的功耗表現。

對此摩根大通大幅上調全球儲存市場的規模預測，將2025至2026年的全球儲存整體潛在市場預測上調6%至24%，並預計到2027年，市場規模將達到近3000億美元。另外到2027年，光AI相關應用就將佔據DRAM整體潛在市場的53%。記憶體晶片製造商為應對需求激增，預計將在2026至2027年將資本支出提高7%-12%，其中DRAM的產能擴張將是最優先的，摩根大通預計NAND價格仍有進一步上漲空間，其混合平均售價在2026財年將年增7%。